1、基本信息
胡华敏，1994年出生，汉族，籍贯湖北孝感，博士，中共党员，硕士生导师。2022年毕业于湖南师范大学，获得物理学理学博士学位。2022年6月入职太阳集团tyc9728材料科学与工程学院。
2、教育经历
2017.09-2022.06，湖南师范大学物理与电子科学学院，物理学，理学博士
3、工作经历
2022年6月-至今，太阳集团tyc9728材料科学与工程学院
4、科研方向简介
主要研究方向为二次离子电池、低维材料及异质结表界面物性调控的第一性原理研究。已在Laser Photonics Rev., Light-Sci. Appl., ACS Photonics, Mater. Today Nano, Appl. Surf. Sci., Chinese Chem. Lett. 等学术期刊上发表SCI论文16余篇。
5、主持的代表性科研项目
[1] 滑移铁电2R-TMDs基范德华异质结界面势垒调控的第一性原理研究，2024JJ6013，湖南省自然科学基金青年基金，5万元，2024.01-2026.12
[2] 二维 MX-MoS2基范德华肖特基异质结界面势垒调控的第一性原理研究，开放课题，1万元，2022.01-2023.01
6、代表性论文或专利
(1) G. Zeng, Y. Zeng, H. Hu*, et al, Regulating pore structure and pseudo-graphitic phase of hard carbon anode towards enhanced sodium storage performance. Chinese Chem. Lett. 2024, 110122.
(2) H. Hu, G. Zeng* and G. Ouyang*, Theoretical design of rhombohedral-stacked MoS2-based ferroelectric tunneling junctions with ultra-high tunneling electroresistances. Phys. Chem. Chem. Phys. 2024, 26, 22549.
(3) T. Yan#, H. Hu#, J. Duan*, et al, Achieving superior sodium storage performance of sulfide heterostructures via copper-driven and electrochemical reconstruction strategy. Chem. Eng. J. 2024, 499, 155871.
(4) H. Hu and G. Ouyang*, Interface induced transition from Schottky-to-Ohmic contacts in single-walled carbon nanotube-based van der Waals Schottky heterostructures. Mater. Today Nano 2022, 20, 100267.
(5) X. Zong#, H. Hu#, G. Ouyang#, et al, Black phosphorus-based van der Waals heterostructures for mid-infrared light emission applications. Light-Sci. Appl. 2020, 9, 114.
(6) Y. Zhou#, K. He#, H. Hu#, et al, Strong Neel Ordering and Luminescence Correlation in a Two-Dimensional Antiferromagnet. Laser Photonics Rev. 2022, 16, 2100431.
(7) H. Hu and G. Ouyang*, First-principles calculations of interface engineering for 2D α-In2Se3-based van der Waals multiferroic heterojunctions. Appl. Surf. Sci. 2021, 545, 149024.
(8) H. Hu, Z. Zhang, G. Ouyang*, Transition from Schottky-to-Ohmic contacts in 1T-VSe2-based van der Waals heterojunctions: Stacking and strain effects. Appl. Surf. Sci. 2020, 517, 146168.
(9) H. Hu, D. Xu, G. Ouyang*, Interface design for the transport properties in asymmetric two-dimensional van der Waals multiferroic tunnel junctions. Physica E 2023, 145, 115501.
(10) H. Hu and G. Ouyang*, Interface-induced transition from Schottky-to-Ohmic contact in Sc2CO2-based multiferroic heterojunctions. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021, 23, 827-833.
7、联系方式
电子邮箱：hmh@csust.edu.cn
办公室：太阳集团tyc9728云塘校区，新能源大楼1栋
通讯地址：（邮编410114）湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
